Samsung Electronics vient d'introduire sa troisième génération de mémoires hybrides (Fusion Memory) associant sur une puce les avantages de différentes technologies. (voir par exemple EIH n°532) Après les OneNAND et les OneDram destinées aux radiotéléphones (http://www.electronique.biz/article/336250.html), voici donc les Flex-OneNAND plutôt dédiées au monde de l'électronique grand public. Ces mémoires sont des flash NAND dont le réseau de cellules peut être configuré, par logiciel, en architecture SLC (un bit par cellule), MLC (deux bits par cellule) ou une combinaison des deux avec les avantages chacune des approches (rapidité de la SLC, densité de la MLC). Une seule Flex-OneNAND pourra ainsi voir sa capacité passer de 2Gbits à 4Gbits avec un débit en lecture de 87Mo/s pour la partie SLC (67Mo/s pour le secteur MLC) et en écriture de 15Mo/s (5Mo/s). Ces débits sont à comparer aux débits classiques des NAND à architecture MLC soit 17Mo/s en lecture et 4,5Mo/s en écriture.