Des transistors RF en GaN sur SiC délivrent 650W en mode pulsé

Le 23/03/2015 à 11:11 par Philippe Dumoulin

Particulièrement robustes, les MAGX-000912-650L0x de Macom sont conçus pour les radars fonctionnant dans la bande L.

Macom complète son catalogue de transistors de puissance RF en nitrure de gallium sur substrat carbure de silicium avec deux produits destinés aux applications radar en bande L. Référencés MAGX-000912-650L00 (modèle standard) et MAGX-000912-650L0S (modèle sans collerette), ces transistors Hemt adaptés en interne couvrent la bande 960 à 1215MHz. Dans un fonctionnement en mode pulsé (impulsion de 128µs, rapport cyclique 10%), ils sont aptes à délivrer 650W, avec un gain de 20dB et un rendement de 62%.

Particulièrement robustes, les MAGX-000912-650L0x supportent une tension de 50V et de forts taux de désadaptation d’impédance. Leur MTTF (“Mean Time To Failure”) est donné pour 600 ans, à une température de jonction inférieure à 200°C.

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