Electroniques.biz

Samsung empile douze puces Dram avec des liaisons TSV

Rédigé par  jeudi, 10 octobre 2019 15:12
Samsung empile douze puces Dram avec des liaisons TSV

Le sud-coréen a raffiné sa technologie de puces empilées à liaisons traversantes (through silicon vias) et prépare des mémoires HBM de 24 Go.

Samsung Electronics a développé une technologie de liaisons traversantes sur silicium (TSV) à douze couches, une première dans l'industrie selon le sud-coréen. Cette technologie permet par exemple d'empiler douze puces de mémoire Dram dans un seul boîtier au moyen de plus de 60.000 trous TSV, tout en conservant la même épaisseur totale, 720µm, que les actuelles mémoires HBM2 à huit couches. Samsung prévoit ainsi de produire bientôt des mémoires HBM de 24Go, soit douze puces de 16Gbits empilées.


Embarqué
Adm21: système  GPU + COM Express de type 7 ConnectTech Connect Tech annonce la sortie de son nouveau système embarqué GPU Type 7 + COM Express. Ce système [...]
Pour communiquer sur vos produits,
al.rouaud@electroniques.biz - 01.53.90.17.15

Veuillez entrer votre nom et numéro de téléphone.

Pour toute question, merci de nous contacter
24/02/2020 - 27/02/2020
Annulation de MWC Barcelona 2020
25/02/2020 - 27/02/2020
Embedded World
12/03/2020 - 14/03/2020
ExpoDental
17/03/2020 - 18/03/2020
Naidex 2020
18/03/2020 - 19/03/2020
IoT World + MtoM Embedded
18/03/2020 - 18/03/2020
Table ronde sur les apports de la 5G à l’IoT
31/03/2020 - 02/04/2020
Passenger Terminal Expo
31/03/2020 - 03/04/2020
Global Industrie