Des mémoires flash 3D intégrées en trois dimensions

Tezzaron a en effet mis au point une technique d'empilement de tranches ouvrant la voie à des circuits intégrés 3D (3D IC), tandis que son compatriote détient, lui, des brevets sur une technologie flash à cellules mémoires verticales (Vflash), plus petites que les classiques cellules flash. En associant les deux, il devrait être possible de créer des mémoires flash beaucoup plus complexes que celles disponibles aujourd'hui et consommant moins. Ces mémoires seront en principe commercialisées par PICC. Aucune date n'a été annoncée concernant leur arrivée sur le marché.

Elle aussi brevetée, la technique de Tezzaron, appelée FaStack, permet d'empiler des tranches de 200 mm de diamètre face à face avec une précision de moins de 1 µm. Les interconnexions entre les différents niveaux de circuits sont réalisées en cuivre (voir notre numéro du 20 mai 2004). Comme les tranches sont amincies à moins de 15 µm d'épaisseur (seule la première tranche est maintenue à une épaisseur normale de 730 µm pour servir de base à l'ensemble de l'édifice), il est possible d'envisager la création de circuits à 32 niveaux encapsulés dans un boîtier standard^(*). La société américaine, qui dispose d'un bureau d'études à Singapour, a par ailleurs développé des cellules mémoires Ram rapides 3D (voir notre numéro du 17 février 2005).

(*) En théorie, la technologie de Tezzaron ouvre la voie à l'empilement de plusieurs centaines de tranches (pour plus de renseignements, voir le site www.tezzaron.com).