Electronique - Les méthodes d’inspection se mettent en place pour les structures de 45 et 32 nm




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Les méthodes d’inspection se mettent en place pour les structures de 45 et 32 nm Elisabeth Feder
[ SEMICONDUCTEURS ]
Les méthodes d'inspection se mettent en place pour les structures de 45 et 32 nm
A l'occasion de la manifestation Semicon Japon, KLA-Tencor et Applied Materials vont tous deux dévoiler de nouveaux systèmes de mesure et d'...

Elisabeth Feder , Electronique International, le 06/12/2006 à 14h00

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A l'occasion de la manifestation Semicon Japon, KLA-Tencor et Applied Materials vont tous deux dévoiler de nouveaux systèmes de mesure et d'inspection de défauts en cas d'utilisation de procédés lithographiques en immersion pour la production de semiconducteurs. Ces systèmes seront nécessaires pour obtenir des rendements suffisants en production dès le passage aux technologies 45nm. La série 2800 de KLA-Tencor (annoncée demain 7 décembre au Japon) se penche sur la mesure des recouvrements entre couches, et répond aux besoins soulevés aussi bien par les procédés de lithographie en immersion que par de nouveaux matériaux, des structures inédites dans la construction des semiconducteurs (multiples grilles, par exemple), les couches atomiques, etc.

Applied Materials présentera, pour sa part, des résultats d'analyses déjà obtenus avec son système d'inspection UVision SP au College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) de l'université Albany NanoTech à Albany (New York). Analyses qui ont permis de détecter des défauts lithographiques critiques, y compris des micro courts-circuits entre motifs très denses, et ceci jusqu'à des structures de 30 nm.




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