La société américaine Ulvac vient d'annoncer le développement d'une technologie de formation de film GST requise dans la production de mémoires Ram à changement de phase (Pram). Cette technologie ouvrirait la voie à la production de Pram de 4 à 16Gbits. Le film GST (Ge2Sb2Te5) est un élément essentiel des Pram. Ce film, qui passe d'un état amorphe à forte résistance électrique à un état cristallin à faible résistance électrique sous l'influence d'une élévation de sa température, est en effet utilisé pour le stockage des informations.