Le fabricant allemand de semiconducteurs Infineon vient de dévoiler ce qu'il considère comme une révolution dans le domaine des radiofréquences: un commutateur RF non pas en arséniure de gallium mais en silicium, gardant des performances similaires. Ce commutateur Cmos serait 60% plus petit que ses homologues GaAs et tirerait parti de l'intégration possible de circuits annexes et de la taille des substrats pour réduire le coût de la fonction. Le composant, référencé BGS12A, mesure 0,79x0,54mm dans son boîtier WLP et assure la fonction de commutateur une entrée/deux sorties sur des signaux jusqu'à 20dBm avec une perte d'insertion de 0,3dB à 1GHz et une isolation de 34dB à la même fréquence. Il est compatible avec des signaux jusqu'à 3GHz. Le prix annoncé en volume de 1000 pièces est de 0,7$.