Un projet européen appelé DOTFIVE vient d'être lancé pour développer des transistors bipolaires à hétérojonction SiGe fonctionnant à une fréquence maximale de 0,5THz (500GHz) à température ambiante, alors que l'état de l'art se situe aujourd'hui à 300GHz. D'une durée de trois ans, ce projet, constitué des meilleurs experts européens du domaine et coordonné par STMicroelectronics, est doté d'une enveloppe budgétaire de 14,75 millions d'euros. Il est cofinancé par la Commission européenne à hauteur de 9,7 millions. Parmi les applications visées figurent les radars automobiles (77GHz) ou les réseaux locaux sans fil (60GHz).

DOTFIVE regroupe quinze partenaires issus des milieux industriels, scientifiques et éducatifs de cinq pays. Infineon Technologies (Allemagne) et STMicroelectronics (France), deux industriels leaders dans les transistors SiGe 250GHz, travailleront sur l'amélioration technologique de la structure du composant. Imec (Belgique) et IHP (Allemagne), deux instituts de recherche qui travaillent sur des concepts innovants de transistors bipolaires à hétérojonction, étudieront les nouveaux processus et structures de transistors. XMOD Technologies (France) et GWT-TUD (Allemagne), deux PME capables de fournir l'extraction des paramètres électriques et l'expertise en modélisation RF participent. Le projet est également composé de sept partenaires académiques.