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IR réduit les pertes de sas IGBT pour onduleurs de 30%
Erwan Humbert
[ SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE ]
IR réduit les pertes de sas IGBT pour onduleurs de 30%
Le fabricant américain de semiconducteurs de puissance International Rectifier vient de présenter une gamme d'IGBT d'une tenue en tension de...
Erwan Humbert
, Electronique International,
le 12/03/2008 à 13h19
Le fabricant américain de semiconducteurs de puissance International Rectifier vient de présenter une gamme d'IGBT d'une tenue en tension de 600V qui est optimisée pour les onduleurs et les convertisseurs des modules photovoltaïque jusqu'à des puissances de 3kW. Ces IGBT sont doté d'une technologie de grille en tranchée qui assurerait selon la société une réduction des pertes dans l'applications pouvant atteindre 30% par rapport aux modèles précédents. Le IRGB4059DPbF en boîtier TO-220 est spécifié pour un courant de 4A à une température de jonction de 100°C et une tension de commande de 15V et offre une tension de déchet de 2,2V. Le modèle IRGP4063DPbF en boîtier TO-247 monte lui jusqu'à 48A.
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