Electronique - Ixys améliore le transistor Mos canal p 100V à 500V




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Ixys améliore le transistor Mos canal p 100V à 500V Erwan Humbert
[ SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE ]
Ixys améliore le transistor Mos canal p 100V à 500V
Le fabricant américain de semiconducteurs de puissance Ixys vient de présenter sous l'appellation PolarP une gamme de transistors Mos de pui...

Erwan Humbert , Electronique International, le 14/03/2008 à 13h21

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Le fabricant américain de semiconducteurs de puissance Ixys vient de présenter sous l'appellation PolarP une gamme de transistors Mos de puissance d'une tenue en tension de 100V à 500V, destinée à la commutation coté haute tension pour des circuits simples référencés à la masse. La société annonce pour ces transistors une réduction de 30% pour les pertes en conduction et de 40% pour la charge de grille par rapport à ses modèles précédents. Ces transistors supportent des courants allant de 10A à 52A selon les modèles. Ils sont proposés dans divers boîtiers comme le TO-247, le TO-3P, le TO-220, le TO-263 et bientôt l'Isoplus qui assure une isolation de 2500V tout en améliorant la conduction thermique.




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