Le fabricant japonais de semiconducteurs Mitsubishi Electric vient de dévoiler un rendement de conversion record pour une cellule photovoltaïque en silicium polycristallin avec 18,6%, soit, selon la société, 0,6 point de mieux que le précédent record de la société. Pour atteindre cette performance, Mitsubishi a ajouté une texture de surface à faible réflectivité, amélioré la jonction p-n pour faciliter le déplacement du courant et réglé le procédé de réalisation des électrodes sur la surface du silicium pour réduire la perte liée à l'ombre des électrodes. La structure en nid-d'abeilles qui texture la surface est obtenue par une technique mélangeant laser et gravure humide. Ces cellules réalisées sur des tranches de 150mm devraient être en production de volume d'ici à 2010.