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Transistors Mos de puissance faible tension
[ COMPOSANTS ]
Transistors Mos de puissance faible tension
FDB88x0, FDB88x6, FDB844x de Fairchild Semiconductor
La rédaction
, Electronique International,
le 02/04/2008 à 07h00
Destinés à la commande de moteur, ces transistors Mos de puissance sont certifiés pour une utilisation automobile.
Résistance à l'état passant : 2,3 mOhms à 5,7 mOhms en 30 V, 5,2 mOhms à 9 mOhms en 40 V
Commande par niveaux logiques pour les modèles 30 V
Boîtier TO-252, TO-252 ou TO-263
Rens. :
www.fairchildsemi.com
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