La société de développement HVVi Semiconductor a développé une structure de transistors baptisée High Frequency High Voltage Vertical Field Effect Transistor sur silicium, qui permettrait, selon elle, de concurrencer les transistors Ldmos dans des applications de type radar. Les modèles réalisés fonctionnent sous des tensions de 24V à 48V avec une puissance crête de 300W, un gain de 15dB et 48% de rendement.