Intel, Samsung Electronics et TSMC viennent d'annoncer qu'ils estiment nécessaire une collaboration à l'échelle de la profession pour favoriser le passage progressif de la fabrication des puces sur tranches de 450 mm de diamètre. Elles ont également convenu d'une date cible pour la mise en place d'une ligne de production pilote : 2012. Ce passage à des tranches de plus grand diamètre permettra la poursuite du développement de l'industrie des semiconducteurs et contribuera au maintien d'une structure de coûts viable pour la fabrication de circuits intégrés et leurs applications chaque tranche de 450mm permettant de réaliser deux fois plus de puces que les tranches de 300mm actuelles. Les trois sociétés collaboreront avec le reste du secteur pour veiller, d'ici à cette échéance, à la mise en place et à l'essai de tous les éléments, de l'infrastructure et des capacités nécessaires à l'installation d'une chaîne de production pilote. Intel, Samsung et TSMC estiment en particulier qu'en appliquant des standards cohérents, en rationalisant l'évolution de l'infrastructure et des processus automatisés actuellement exploités pour le 300 mm ainsi qu'en convenant d'un calendrier de mise en production commun, le secteur des semiconducteurs pourra renforcer le rendement de ses investissements et largement réduire ses coûts de recherche et développement pour le 450 mm et limiter les risques et les coûts de transition.