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STMicroelectronics améliore la résistance de ses transistors Mos rapides
Erwan Humbert
[ SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE ]
STMicroelectronics améliore la résistance de ses transistors Mos rapides
STMicroelectronics vient de présenter la seconde génération de sa technologie de transistors Mos à structure en réseau et super jonction. Ce...
Erwan Humbert
, Electronique International,
le 09/05/2008 à 12h15
STMicroelectronics vient de présenter la seconde génération de sa technologie de transistors Mos à structure en réseau et super jonction. Cette génération permet, selon le fabricant, d'obtenir des composants dont la résistance à l'état
passant baisse encore tout en étant capables de commuter très rapidement. Le premier composant à bénéficier de cette technologie est le STW55NM60ND, un transistor 600V canal n en boîtier TO247.Il est spécifié pour une résistance à l'état passant de
60mOhms avec un courant maximum de 51A et est disponible au prix de 10 dollars par 1000 pièces.
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