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Hier, la fabrication pouvait rattraper certaines erreurs de conception. Aujourd’hui, la miniaturisation et le passage au sans-plomb ont tellement diminué les possibilités d’intervention en production qu’il n’y a plus de droit à l’erreur en amont de celle-ci. D’où l’importance pour tous de connaître les règles de base régissant la fabrication. Pierre-Jean Albrieux, président du GFIE, fait le point sur ce problème.
TECHNOLOGIE / ÉNERGIE Semiconducteurs de puissance
Record en Mos canal p 30V format SO-8
La société américaine Vishay Intertechnology vient de présenter, sous la référence Si7145DP, un transistor Mos canal p d'une tenue en tension...
Erwan Humbert, ElectroniqueS, le 30/6/2009 à 12h20
La société américaine Vishay Intertechnology vient de présenter, sous la référence Si7145DP, un transistor Mos canal p d'une tenue en tension de 30V dans un format à l'empreinte sur le circuit imprimé compatible avec un SO-8. Ce transistor dont la résistance à l'état passant ne dépasse pas la valeur de 2,6mOhms pour une tension de commande de 10V et 3,75mOhms pour une tension de commande de 4,5V établirait selon la société un record dans sa catégorie, le plus proche compétiteur étant selon Vishay à 3,1mOhms et 4,3mOhms suivant la tension de commande.