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Un plan d'actions portant notamment sur des "programmes de R&D ambitieux" sur les sites de production français de micro- et nanoélectronique va être lancé. La contribution publique "devrait se compter en plusieurs centaines de millions d'euros, dont la majorité sera issue de l’emprunt national", nous a précisé Christian Estrosi.
TECHNOLOGIE / ACTIFS Circuits numériques
Premières flash NAND MLC à 3 bits par cellule
Ces mémoires sont fabriquées en technologie 30nm par Samsung.
Françoise Grosvalet, ElectroniqueS, le 01/12/2009 à 15h00
Samsung Electronics vient d’introduire ce qu’il considère comme la première mémoire flash NAND à architecture MLC permettant de stocker 3 bits par cellule mémoire. Cette flash NAND est aussi la première à être produite en volume en technologie 30nm.
Ces mémoires de 32 Gbits seront associées à des contrôleurs ad hoc dans des cartes SD d’une capacité de 8Go.