Matériau semiconducteur composé avec une bande de valence de 3,4eV, une tension de claquage et une mobilité d’électrons élevées le rendant presque idéal pour les transistors radiofréquences fonctionnant à haute température, forte puissance et forte tension. Il est également employé comme matériau de base pour la fabrication de diodes électroluminescentes bleues qui exploitent principalement sa large bande de valence. Par contre, pour l’instant, ce matériau ne reste disponible qu’en tranches de petits diamètres (50 mm maximum) obtenues par épitaxie sur carbure de silicium ou oxyde d’aluminium. La fabrication de tranches en nitrure de gallium pur n’en est qu’à ses balbutiements.