DES FET EN SiC POUR REMPLACER AVANTAGEUSEMENT LES MOSFET À SUPERJONCTION

Le 27/03/2018 à 0:00 par Philippe Dumoulin
L es Fet650Vencarburedesilicium de la série UJ3C de l’américain UnitedSiC (United Silicon Carbide) ont pour vocation de remplacer avantageusement les Mosfet à superjonction en silicium. Proposés dans une configuration cascode (association d’un Mosfet en silicium et d’un JFet en SiC afin de présenter un comportement “normally off”), ils s’accommodent d’un circuit de commande de grille…
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