
Pour l'édition 2021, la conférence ISSCC passe au virtuel
Habituellement réunie en février à San Francisco, la communauté internationale de la R&D en semi-conducteurs pourra l'an prochain suivre un programme de présentations toujours aussi riche, mais cette fois en ligne.
ISSCC 2020 - Une couche d'interposition active dope les processeurs à chiplets
Le CEA-Leti a présenté à la conférence ISSCC un processeurs multicoeurs à six chiplets utilisant une couche d'interposition active, avec à la clé des gains significatifs en termes de consommation, de bande passante et d'évolutivité.
ISSCC 2020 - 10 nW en veille pour un microcontrôleur Cortex-M33
ARM a développé un prototype de microcontrôleur 32 bits Cortex-M33 à mémoires Rom et Ram consommant moins de 4 mW en mode actif et 10 nW en veille.
ISSCC 2020 - Les Dram HBM2E se dévoilent
Samsung et SK Hynix ont tous deux présenté des mémoires HBM2E de 16 Go à 640 Go/s de bande passante lors de la conférence ISSCC.
ISSCC 2020 - 18 Géch./s pour un CAN 12 bits !
Grâce à un étage d'entrée sophistiqué et une correction numérique intensive, l'américain repousse les limites de ses convertisseurs A/N haut débit destinés à l'échantillonnage de signaux RF.
ISSCC 2020 - Les imageurs de Sony atteignent 132 dB de dynamique
Visant les systèmes automobiles et les caméras de vidéosurveillance, cet imageur équipés de pixels à double photodiode offre une marge dynamique de 132 dB en une seule exposition.
ISSCC 2020 - Toshiba booste la conversion de signaux lidars hybrides
Le japonais propose, pour la numérisation des signaux issus de lidars combinant les détections ToF directe et indirecte, un frontal analogique effectuant les deux conversions au sein d'une seule architecture, plus compacte et moins gourmande en énergie.
ISSCC 2020 - IBM détaille son processeur z15
L'américain a généreusement augmenté la quantité de mémoire cache Sram et Dram embarquée dans ses processeurs multicoeurs pour centres de données informatiques.
ISSCC 2019 - Qualcomm combine les régulations de tension et de fréquence
L'américain présente un prototype de circuit FinFET 7 nm assurant à la fois la régulation de tension et de fréquence d'un processeur, sans inductance externe.
ISSCC 2019 - Les flash Nand 3D TLC écrivent 132 Mo/s
Toshiba et Western Digital ont développé une mémoire flash Nand à 128 couches empilées et trois bits par cellule offrant une vitesse d'écriture de 132 Mo/s.