Habituellement réunie en février à San Francisco, la communauté internationale de la R&D en semi-conducteurs pourra l'an prochain suivre un programme de présentations toujours aussi riche, mais cette fois en ligne.

Le CEA-Leti a présenté à la conférence ISSCC un processeurs multicoeurs à six chiplets utilisant une couche d'interposition active, avec à la clé des gains significatifs en termes de consommation, de bande passante et d'évolutivité.

ARM a développé un prototype de microcontrôleur 32 bits Cortex-M33 à mémoires Rom et Ram consommant moins de 4 mW en mode actif et 10 nW en veille.

Samsung et SK Hynix ont tous deux présenté des mémoires HBM2E de 16 Go à 640 Go/s de bande passante lors de la conférence ISSCC.

Grâce à un étage d'entrée sophistiqué et une correction numérique intensive, l'américain repousse les limites de ses convertisseurs A/N haut débit destinés à l'échantillonnage de signaux RF.

Visant les systèmes automobiles et les caméras de vidéosurveillance, cet imageur équipés de pixels à double photodiode offre une marge dynamique de 132 dB en une seule exposition.

Le japonais propose, pour la numérisation des signaux issus de lidars combinant les détections ToF directe et indirecte, un frontal analogique effectuant les deux conversions au sein d'une seule architecture, plus compacte et moins gourmande en énergie.

L'américain a généreusement augmenté la quantité de mémoire cache Sram et Dram embarquée dans ses processeurs multicoeurs pour centres de données informatiques. 

L'américain présente un prototype de circuit FinFET 7 nm assurant à la fois la régulation de tension et de fréquence d'un processeur, sans inductance externe. 

Toshiba et Western Digital ont développé une mémoire flash Nand à 128 couches empilées et trois bits par cellule offrant une vitesse d'écriture de 132 Mo/s.