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Les Mosfet de moyenne puissance de 40V et 60V de la famille BUKxxx sont proposés dans un boîtier de type DFN2020, dont les dimensions sont de 2x2mm, permettant l'inspection optique automatique.

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Caractérisé par une résistance maximale à l'état passant de 40mOhms, le TK040N65Z inaugure la série DTMOS VI de Mosfet de puissance du japonais.

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Ces transistors remplacent avantageusement les Mosfet et les IGBT en silicium pour permettre une commutation ultra-rapide dans les systèmes de conversion d'énergie.

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Les Mosfet à superjonction CoolMOS CFD7 de l'allemand succèdent aux CoolMOS CFD2 avec, à la clé, des pertes moindres.

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Le TPH1R204PB bénéficies des dernières avancées de la technologie U-MOS-IX-H du japonais. Il convient aux applications nécessitant de faibles niveaux d'IEM.

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Les derniers Mosfet U-MOS-IX-H de la société offrent de faibles valeurs de résistance à l'état passant, soit de 3,1 à 6,7mOhms.

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lundi, 25 septembre 2017 08:46

Nexperia muscle ses Mosfet pour l'automobile

Qualifiés AEC-Q101, les derniers Mosfet à superjonction en boîtier LFPAK56E de la société sont une alternative moins encombrante aux modèles en boîtiers DPAK et D²PAK.

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Par rapport au boîtier DPAK, le SOT-223 présente un intérêt essentiellement économique. Des versions de CoolMOS P7 de 600V, 700V et 800V en SOT-223 sont déjà disponibles.

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Optimisé pour les IGBT et les Mosfet, le SID1183K fait appel à une technologie magnéto-inductive qui évite l'usage de photocoupleurs.

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Les TPH6R30ANL et TPH4R10ANL du japonais sont des Mosfet de 100V commandés par une tension de niveau logique 4,5V.

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Composants
Barrette de diode laser pulsée de haute puissance Adaptées pour des conditions d’utilisation critiques grâce à leur dissipation thermique et une [...]
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