Caractérisé par une résistance maximale à l'état passant de 40mOhms, le TK040N65Z inaugure la série DTMOS VI de Mosfet de puissance du japonais.

Le japonais lance des microcontrôleurs M3H deux fois plus rapides et dotés de fonctions analogiques et de sécurité avancées.

Par rapport au boîtier USC traditionnel, une nouvelle conception a permis de réduire la résistance thermique pratiquement de moitié. Le courant inverse a été également abaissé.

Cette usine de mémoires flash Nand 3D, dont l'achèvement est prévu pour l'automne 2019, sera la plus grande et la plus moderne du fabricant japonais.

Le japonais présente toute une gamme de circuits simplifiant la liaison entre un processeur vidéo standard et des écrans haute définition.

Logé dans un petit boîtier SO6 à 4 broches, le TLP176AM de Toshiba est caractérisé par une tension d'isolement de 3750Veff.

Le TLP5832 de Toshiba est encapsulé dans un boîtier SO8L dont l’épaisseur est environ de 54% inférieure à celle des formats SDIP6 ou DIP8.

Les régulateurs de tension de la série TCR15AG sont encapsulés dans un boîtier WCSP6F, dont les dimensions sont de seulement 1,2x0,8x0,3mm.

Les dix premiers acteurs en termes de dépenses de R&D ont consacré 35,9 milliards de dollars en 2017 à ce poste de dépenses.

Tirant profit du procédé U-MOS IX-H de la société, les TPH3R70APL et TPN1200APL affichent des valeurs de résistance à l'état passant de seulement 3,7 et 11,5 milliOhms, respectivement.