Ce double Mosfet 3300V en carbure de silicium supporte des courants de 800A.

• Température maximale : 175°C

• Boîtier à liaisons en argent fritté

• Isolation jusqu'à 6000VRMS

• Pertes en commutation : 240 à 250nJ

Réf. MG800FXF2YMS3

Fab. Toshiba Electronics

Rens. http://www.toshiba.semicon-storage.com

Toujours impliqué en semi-conducteurs, le conglomérat japonais fait face à une proposition de rachat du fonds d'investissement CVC et à la démission de son CEO.

Le japonais présente des régulateurs à faible chute de tension miniatures précis à +/-1,5% entre 1,8V et 2,8V.

Les derniers transistors Mosfet DTMOS VI du japonais sont commercialisés dans un boîtier TOLL 27% plus petit que les modèles D2PAK.

Toshiba présente un module aux dimensions réduites embarquant un double transistor Mosfet 3300V en carbure de silicium supportant de forts courants.

Toshiba propose un photorelais 40V-100V gérant 2A en continu et 6A en mode pulsé dans un boîtier miniature DIP4.

Ces microcontrôleurs à coeur 32 bits Cortex-M3 ou M4 ciblent principalement les applications de commande moteur. 

Les derniers circuits de commande à pont en H pour petits moteurs embarqués dans l'automobile de Toshiba peuvent être commandés directement par l'intermédiaire de l'interface SPI.

Une famille de régulateurs à faible chute de tension du japonais maintient une forte réjection d'ondulation sur une très large bande de fréquence.

Le japonais présente un transistor Mosfet 12 V spécialement conçu pour les montages de protection de batterie et caractérisé par une épaisseur de 0,11 mm seulement ainsi qu'une faible consommation énergétique.