Electroniques.biz
dimanche, 18 avril 2021 10:42

Double Mosfet SiC

Ce double Mosfet 3300V en carbure de silicium supporte des courants de 800A.

• Température maximale : 175°C

• Boîtier à liaisons en argent fritté

• Isolation jusqu'à 6000VRMS

• Pertes en commutation : 240 à 250nJ

 

Réf. MG800FXF2YMS3

Fab. Toshiba Electronics

Rens. http://www.toshiba.semicon-storage.com

Publié dans Composants
vendredi, 16 avril 2021 08:51

Toshiba dans la tourmente

Toujours impliqué en semi-conducteurs, le conglomérat japonais fait face à une proposition de rachat du fonds d'investissement CVC et à la démission de son CEO.

Publié dans Vie des entreprises

Le japonais présente des régulateurs à faible chute de tension miniatures précis à +/-1,5% entre 1,8V et 2,8V.

Publié dans Semi-conducteurs
vendredi, 12 mars 2021 07:33

Des Mosfet 650V plus petits chez Toshiba

Les derniers transistors Mosfet DTMOS VI du japonais sont commercialisés dans un boîtier TOLL 27% plus petit que les modèles D2PAK.

Publié dans Energie

Toshiba présente un module aux dimensions réduites embarquant un double transistor Mosfet 3300V en carbure de silicium supportant de forts courants.

Publié dans Energie
mardi, 09 février 2021 07:44

Un photorelais 100V dans un boîtier DIP4

Toshiba propose un photorelais 40V-100V gérant 2A en continu et 6A en mode pulsé dans un boîtier miniature DIP4.

Publié dans Semi-conducteurs

Ces microcontrôleurs à coeur 32 bits Cortex-M3 ou M4 ciblent principalement les applications de commande moteur. 

Publié dans Semi-conducteurs

Les derniers circuits de commande à pont en H pour petits moteurs embarqués dans l'automobile de Toshiba peuvent être commandés directement par l'intermédiaire de l'interface SPI.

Publié dans Semi-conducteurs

Une famille de régulateurs à faible chute de tension du japonais maintient une forte réjection d'ondulation sur une très large bande de fréquence.

Publié dans Semi-conducteurs

Le japonais présente un transistor Mosfet 12 V spécialement conçu pour les montages de protection de batterie et caractérisé par une épaisseur de 0,11 mm seulement ainsi qu'une faible consommation énergétique.

Publié dans Semi-conducteurs
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Composants
Barrette de diode laser pulsée de haute puissance Adaptées pour des conditions d’utilisation critiques grâce à leur dissipation thermique et une [...]
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