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Caractérisé par une résistance maximale à l'état passant de 40mOhms, le TK040N65Z inaugure la série DTMOS VI de Mosfet de puissance du japonais.

Publié dans Semi-conducteurs

Le japonais lance des microcontrôleurs M3H deux fois plus rapides et dotés de fonctions analogiques et de sécurité avancées.

Publié dans Semi-conducteurs

Par rapport au boîtier USC traditionnel, une nouvelle conception a permis de réduire la résistance thermique pratiquement de moitié. Le courant inverse a été également abaissé.

Publié dans Semi-conducteurs

Cette usine de mémoires flash Nand 3D, dont l'achèvement est prévu pour l'automne 2019, sera la plus grande et la plus moderne du fabricant japonais.

Publié dans Vie des entreprises

Le japonais présente toute une gamme de circuits simplifiant la liaison entre un processeur vidéo standard et des écrans haute définition.

Publié dans Semi-conducteurs

Logé dans un petit boîtier SO6 à 4 broches, le TLP176AM de Toshiba est caractérisé par une tension d'isolement de 3750Veff.

Publié dans Semi-conducteurs

Le TLP5832 de Toshiba est encapsulé dans un boîtier SO8L dont l’épaisseur est environ de 54% inférieure à celle des formats SDIP6 ou DIP8.

Publié dans Semi-conducteurs
jeudi, 05 avril 2018 08:57

Toshiba compacte le LDO de 1,5A

Les régulateurs de tension de la série TCR15AG sont encapsulés dans un boîtier WCSP6F, dont les dimensions sont de seulement 1,2x0,8x0,3mm.

Publié dans Energie

Les dix premiers acteurs en termes de dépenses de R&D ont consacré 35,9 milliards de dollars en 2017 à ce poste de dépenses.

Publié dans Conjoncture

Tirant profit du procédé U-MOS IX-H de la société, les TPH3R70APL et TPN1200APL affichent des valeurs de résistance à l'état passant de seulement 3,7 et 11,5 milliOhms, respectivement.

Publié dans Semi-conducteurs
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