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L'amplificateur linéaire TCB702FNG à quatre canaux de 45W offrirait un rendement digne des modèles en classe D, sur une plage allant de 0,5 à 4W.

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Le japonais lance une version 130 nm de sa plateforme FFSA de circuits spécifiques à mi-chemin entre les FPGA et les Asic. 

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Le double driver de pont de H TC78H651FNG, pour moteurs DC et pas-à-pas, se contente d'une tension d'alimentation de 1,8V et délivre jusqu'à 1,6A.

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Caractérisé par une résistance maximale à l'état passant de 40mOhms, le TK040N65Z inaugure la série DTMOS VI de Mosfet de puissance du japonais.

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Le japonais lance des microcontrôleurs M3H deux fois plus rapides et dotés de fonctions analogiques et de sécurité avancées.

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Par rapport au boîtier USC traditionnel, une nouvelle conception a permis de réduire la résistance thermique pratiquement de moitié. Le courant inverse a été également abaissé.

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Cette usine de mémoires flash Nand 3D, dont l'achèvement est prévu pour l'automne 2019, sera la plus grande et la plus moderne du fabricant japonais.

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Le japonais présente toute une gamme de circuits simplifiant la liaison entre un processeur vidéo standard et des écrans haute définition.

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Logé dans un petit boîtier SO6 à 4 broches, le TLP176AM de Toshiba est caractérisé par une tension d'isolement de 3750Veff.

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Le TLP5832 de Toshiba est encapsulé dans un boîtier SO8L dont l’épaisseur est environ de 54% inférieure à celle des formats SDIP6 ou DIP8.

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