Yole Développement croit au décollage du GaN et du SiC en puissance

Le 03/07/2008 à 0:00 par Youssef Belgnaoui
Malgré un lent démarrage dans les étages de correction de facteurs de formes des alimentations, les composants SiC et aussi GaN pourraient, selon le cabinet français, connaître ensuite un développement rapide. Le cabinet français d’études de marché Yole Développement s’intéresse, entre autres, aux semiconducteurs exotiques et à leur utilisation et développement dans le domaine de…
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