Cette technologie réalise un collage entre wafers ainsi que des interconnexions électriques fines entre les deux tranches, à température normale et sans pression externe.

Le fondeur de silicium Smic et Invensas viennent de signer un accord par lequel Smic obtient le droit d’utiliser la technologie DBI (Direct Bond Interconnect) mise au point par Invensas. Cette technologie sert notamment dans la fabrication de capteurs d’images.

Dans la pratique, la technologie DBI consiste à établir une liaison forte (bond) entre deux wafers ou entre un wafer et des puces de semi-conducteurs, tout en assurant la création d’interconnexions électriques à espacements très petits, cela à température normale et sans exercer de pression ni utiliser de colle.

Dans le cas de deux wafers par exemple, les surfaces des deux tranches sont d’abord aplanies alors que les plots de liaison (pads) en cuivre ou en nickel encastrés dans le diélectrique de surface sont polis puis soumis à un traitement afin qu’ils deviennent légèrement bombés.

Les deux surfaces sont ensuite travaillées, et donc préparées, via les outils de gravure plasma habituels, puis placées en regard l’une de l’autre avec une grande précision d’alignement. Il se crée alors une liaison forte entre les deux wafers alors qu’au sein de l’intervalle de liaison, se développent des interconnexions ; la croissance de ces dernières est favorisée par un recuit à basse température.

« Cette technologie permet de supprimer le recours à des vias (Through Silicon Vias), ce qui contribue à diminuer le coût de production, et elle ouvre la voie à des interconnexions au niveau du pixel pour les générations à venir de capteurs d’images », estime Smic dans son communiqué.