Le sud-coréen démarre la fabrication en volume de puces de mémoire flash Nand TLC de 1 Tbits à 128 couches.

Le sud-coréen a l'intention de multiplier les mémoires flash Nand à quatre bits par cellule, jusqu'à proposer des solutions eSSD complètes de 16 To.

Le sud-coréen fait face à une chute des prix liée à la surproduction mondiale de mémoires Dram et flash Nand.

Le sud-coréen a investi 750 M€ pour ajouter 58.000 m² à son site chinois emblématique de production de Dram.

Ces usines seront construites sur un site de 4,5 millions de mètres carrés au sud de Séoul à partir de 2022, en complément de deux usines nationales existantes qui recevront un investissement distinct de 55000 milliards de won (49 milliards de dollars) au cours de la prochaine décennie.

Le sud-coréen a conçu une mémoire Dram DDR5 de 16Gbit/s conforme aux standards Jedec, avec à la clé un gain de 60 % en débit de données et de 30 % en consommation par rapport aux DDR4.

Le sud-coréen dote ses mémoires flash à couches empilées d'une architecture innovante afin d'en augmenter les performances et le rendement.

Il s'est vendu pour plus de 120 milliards de dollars de composants lors des trois derniers mois. Les mémoires et les circuits numériques ont particulièrement le vent en poupe.

Le fabricant sud-coréen de mémoires continue d'investir lourdement pour satisfaire la forte demande de Dram et de flash Nand.

L'iPhone 6 et l'iPhone 6 Plus partagent quasiment la même liste de composants, où l'on retrouve les fournisseurs typiques d'Apple, Qualcomm en tête.