Les nouvelles mémoires à haut débit du sud-coréen fournissent un débit théorique de 460Go/s. 

Pour le fabricant sud-coréen de mémoires, la hausse des ventes de Dram et flash Nand destinées aux serveurs de données compense la baisse du marché des smartphones.

Samsung et SK Hynix ont tous deux présenté des mémoires HBM2E de 16 Go à 640 Go/s de bande passante lors de la conférence ISSCC.

Le fabricant de mémoires Dram et flash espère que la baisse du marché touche à sa fin.

Le sud-coréen présente des modules UFS, barrettes cSSD et disques durs E1.L embarquant ses mémoires flash Nand TLC à 128 couches de 1Tbit.

Le fabricant sud-coréen de mémoires Dram et flash voit son chiffre d'affaires repartir à la hausse, mais poursuit ses efforts pour limiter sa surcapacité de production.

Le sud-coréen affiche des gains de productivité, de performance et de consommation significatifs avec son dernier process dit 1Z nm, qui produira en volume des puces mémoires DDR4 de 16 Gbits l'an prochain.

Le sud-coréen démarre la fabrication en volume de puces de mémoire flash Nand TLC de 1 Tbits à 128 couches.

Le sud-coréen a l'intention de multiplier les mémoires flash Nand à quatre bits par cellule, jusqu'à proposer des solutions eSSD complètes de 16 To.

Le sud-coréen fait face à une chute des prix liée à la surproduction mondiale de mémoires Dram et flash Nand.