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vendredi, 21 février 2020 17:43

ISSCC 2020 - Les Dram HBM2E se dévoilent

Samsung et SK Hynix ont tous deux présenté des mémoires HBM2E de 16 Go à 640 Go/s de bande passante lors de la conférence ISSCC.

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Le fabricant de mémoires Dram et flash espère que la baisse du marché touche à sa fin.

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Le sud-coréen présente des modules UFS, barrettes cSSD et disques durs E1.L embarquant ses mémoires flash Nand TLC à 128 couches de 1Tbit.

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Le fabricant sud-coréen de mémoires Dram et flash voit son chiffre d'affaires repartir à la hausse, mais poursuit ses efforts pour limiter sa surcapacité de production.

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mercredi, 23 octobre 2019 08:25

Hynix raffine son process Dram

Le sud-coréen affiche des gains de productivité, de performance et de consommation significatifs avec son dernier process dit 1Z nm, qui produira en volume des puces mémoires DDR4 de 16 Gbits l'an prochain.

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Le sud-coréen démarre la fabrication en volume de puces de mémoire flash Nand TLC de 1 Tbits à 128 couches.

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Le sud-coréen a l'intention de multiplier les mémoires flash Nand à quatre bits par cellule, jusqu'à proposer des solutions eSSD complètes de 16 To.

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Le sud-coréen fait face à une chute des prix liée à la surproduction mondiale de mémoires Dram et flash Nand.

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Le sud-coréen a investi 750 M€ pour ajouter 58.000 m² à son site chinois emblématique de production de Dram.

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Ces usines seront construites sur un site de 4,5 millions de mètres carrés au sud de Séoul à partir de 2022, en complément de deux usines nationales existantes qui recevront un investissement distinct de 55000 milliards de won (49 milliards de dollars) au cours de la prochaine décennie.

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