Transistor bipolaire à hétérojonction. Cette structure de transistor bipolaire particulière est utilisée en radiofréquence, principalement pour les amplificateurs de puissance. On la retrouve actuellement en technologie silicium-germanium, où le germanium est introduit dans la base, ainsi qu’en arséniure de gallium dans les variantes GaAlAs et GaInP. Ces dernières utilisations sont concurrentes des solutions Mesfet, Hemt, pHemt et mHemt. Le transistor HBT en technologie GaAs a l’avantage de se satisfaire d’une seule tension d’alimentation positive, de tenir des tensions de claquages élevées, et d’atteindre des fréquences de fonctionnement de plus de 50 GHz malgré des règles de dessins relativement grossières (2 µm et plus).