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La Z-Ram s’adapte aux transistors à grilles multiples
La société américano-suisse Innovative Silicon, à l’origine d’une technologie mémoire Ram ultradense et ultrarapide exploitant un effet para… La société américano-suisse Innovative Silicon, à l’origine d’une technologie mémoire Ram ultradense et ultrarapide exploitant un effet parasite du SOI (/article/335418.html), vient de démontrer la possibilité de fabriquer des cellules mémoires Z-Ram basées sur des transistors à…
