Les Mos SO-8 conduisent 30 % de courant en plus

Le 25/09/2003 à 0:00 par Youssef Belgnaoui
Avec une densité de 300 millions de cellules par pouce carré, Siliconix fait passer la résistance passante du Mos SO-8 30 V sous la barrière des 4 mO. Pour les transistors Mos, la course à la densité de courant, et donc à la faible résistance à l’état passant, semble avoir été relancée. Après des annonces de différents…
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