Philips fait passer le Mos basse tension en TO-220 sous 1 mO

Le 27/11/2003 à 0:00 par Youssef Belgnaoui
Le rêve d’un transistor Mos idéal sans résistance à l’état passant se rapproche de plus en plus de la réalité. Philips vient de lui faire passer la barre du milliohm. En conversion d’énergie, l’un des facteurs limitant le rendement se situe au niveau des pertes en conduction du transistor Mos. Même si celui-ci a beaucoup…
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