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Revue ElectroniqueS > ElectroniqueS n°78 - TENDANCE

Transistor en GaN et pilote de grille font bon ménage

Rédigé par  mardi, 24 janvier 2017 12:00
Exploiter le potentiel des Fet de puissance en nitrure de gallium suppose une parfaite adéquation entre le transistor et son driver de grille. Pour limiter notamment l'impact des inductances parasites, sources de pertes énergétiques et de stress, plusieurs sociétés ont opté pour une approche monolithique ou pour une intégration des éléments cités dans un module multipuce.

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