DOUBLE MOSFET SiC

Le 09/04/2021 à 0:00 par La rédaction
Ce double Mosfet 3 300 V en carbure de silicium supporte des courants de 800 A. • Température maximale : 175 °C • Boîtier à liaisons en argent fritté • Isolation jusqu’à 6 000 VRMS • Pertes en commutation : 240 à 250 mJ Réf. MG800FXF2YMS3 Fab. Toshiba Electronics Rens. www.toshiba.semiconstorage.com
La lecture de cet article est réservée aux abonnés.
Connectez-vous ou abonnez-vous pour y accéder.
Copy link
Powered by Social Snap