Mosfet de puissance à canal N ou P de Vishay Intertechnology
Destinés aux applications portables, ces Mosfet de puissance à canal N ou P sont caractérisés par un faible facteur de forme.
• Tenue en tension : 12 V ou 20 V
• Résistance à l’état passant : 43 à 76 mOhms à 4,5 V
• Dimensions : 0,8×0,8 mm, 1×1 mm
Réf. Si8806DB, Si8812DB, Si8817DB, Si8489EDB,
Rens. www.vishay.com
C’est un fait, les composants électroniques sont toujours plus présents dans les implants médicaux. Un essor favorisé par une dynamique…
SnapEDA développe des logiciels à l’attention des concepteurs d’électronique, en automatisant la conception de PCB. Il permet d'établir des bibliothèques…
Le 7 septembre lors du Passive Components Networking Symposium, l'EPCIA (Association Européenne de l'Industrie des Composants Passifs) a décerné son…
La capacité de production mondiale installée de semi-conducteurs composés et de puissance devrait atteindre 10,24 millions de tranches par mois…
