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Composants > ElectroniqueS n°32

Mosfet À Faibles R Ds(On)

Rédigé par  jeudi, 01 novembre 2012 00:00
Mosfet À Faibles R Ds(On)

Ces trenchFet de quatrième génération sont caractérisés par une résistance à l'état passant comprise entre 1,35 et 3,1mO à 4,5v.

• tension drain-source: 30v

• tension grille-source: 20v

• boîtier: PowerPak so-8 ou PowerPak 1212-8

réf. fab. rens. sira00/02/04dp, sisa04dn vishay Intertechnology www.vishay.com

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