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Mosfet 12 V canal P

Rédigé par  vendredi, 26 février 2010 09:23
Mosfet 12 V canal P
Série SiB455EDK de Vishay Intertechnology
Ce transistor est caractérisé par une résistance à l’état passant parmi les plus faibles de l’industrie.






  • Technologie TrenchFET III
  • Tenue en tension : 12 V
  • Résistance à l’état passant : 27 mOhms à 4,5 V
  • Boîtier PowerPAK SC-75
Rens. www.vishay.com
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