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IGBT 1 200 V en petit boîtier

Rédigé par  mardi, 25 septembre 2018 00:00
IGBT 1 200 V en petit boîtier

Cet IGBT et sa diode sont encapsulés dans un boîtier compact, pour une densité de puissance améliorée.

• Tenue en tension : 1 200 V • Calibre en courant : 75 A à 100 °C • Tension VCE (sat): 2 V à 25 °C • Boîtier TO-247PLUS à 3 ou 4 broches Réf. IKQ75N120CH3, IKY75N120CH3 Fab. Infineon Technologies Rens. www.infineon.com

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