Ces mémoires Dram LPDDR4 10 nm de deuxième génération voient leur consommation réduite de 10 % par rapport aux modèles précédents.
• Capacité : 16 Gbit • Débit de données : 4 266 Mbit/s Réf. Dram LPDDR4X Fab. Samsung Rens. www.samsung.com
Ces mémoires Dram LPDDR4 10 nm de deuxième génération voient leur consommation réduite de 10 % par rapport aux modèles précédents.
• Capacité : 16 Gbit • Débit de données : 4 266 Mbit/s Réf. Dram LPDDR4X Fab. Samsung Rens. www.samsung.com
C’est un fait, les composants électroniques sont toujours plus présents dans les implants médicaux. Un essor favorisé par une dynamique…
SnapEDA développe des logiciels à l’attention des concepteurs d’électronique, en automatisant la conception de PCB. Il permet d'établir des bibliothèques…
Le 7 septembre lors du Passive Components Networking Symposium, l'EPCIA (Association Européenne de l'Industrie des Composants Passifs) a décerné son…
La capacité de production mondiale installée de semi-conducteurs composés et de puissance devrait atteindre 10,24 millions de tranches par mois…