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Mosfet de puissance

Rédigé par  mercredi, 29 juin 2011 15:45
Mosfet de puissance
Séries IRF6811 et IRF6894 de International Rectifier
Destinés aux architectures de conversion DC-DC à découpage, ces transistors à pertes réduites améliorent le rendement énergétique jusqu’à 2 %.






  • Technologie DirectFET
  • Résistance à l’état passant : 0,9 ou 2,8 mOhm à 10 V
  • Charge de grille : 10 ou 4,2 nC
  • Tension de blocage : 25 V
Rens. www.irf.com
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Test et mesure
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