Convertisseurs DC-DC : l’étage de puissance en GaN est désormais une réalité commerciale

Le 01/03/2010 à 15:59 par Philippe Dumoulin

Avec les iP201x, International Rectifier annonce la disponibilité de ses premiers circuits de puissance pour convertisseurs DC-DC exploitant un procédé GaN sur silicium. Ceux-ci ont été élaborés à partir de la plate-forme GaNpowIR de l’américain. Optimisés pour les convertisseurs DC-DC buck synchrones, les iP2010 et iP2011 introduits par International Rectifier constituent les premiers circuits disponibles commercialement intégrant un étage de puissance réalisé en nitrure de gallium.
Elaborés à partir de la plate-forme GaNpowIR de l’américain, les nouveaux venus bénéficient en effet d’un procédé propriétaire à base de GaN épitaxié sur des tranches de silicium de 150 mm.

Dans un boîtier LGA de 7,7×6,5×1,7 mm à dissipation par les deux faces, les éléments de puissance sont associés à un circuit de commande de grille ultra-rapide (PowIRtune).
Afin d’offrir un rendement élevé et une fréquence de commutation jusqu’à 3 MHz (iP2010) ou 5 MHz (iP2011), la société a fait appel à une technologie flip chip (puce nue montée retournée) pour s’affranchir des inductances parasites des fils de connexion.

Les iP2010 et iP2011, compatibles broche à broche, affichent des tenues en courant de 30 A pour le premier, de 20 A pour le second. A partir d’une tension d’entrée comprise entre 7 V et 13,2 V, Ils délivrent une tension entre 0,6 V et 5,5 V. Les entrées PWM et de validation sont compatibles TTL.
Par quantité de 2500 pièces, les iP2010 et iP2011 sont proposés aux alentours de 9 $ et 6 $, respectivement.
Parmi les systèmes et applications visés : les serveurs, les routeurs, les commutateurs et les convertisseurs DC-DC de point de charge d’usage général.

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