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Le GaN progresse chez Nexperia

Rédigé par  lundi, 15 juin 2020 07:13
Le GaN progresse chez Nexperia

Le néerlandais réduit l'encombrement et la résistance de ses transistors Fet en nitrure de gallium. 

Nouvelle gamme de transistors de puissance chez Nexperia avec les GAN041-650WSB et GAN039-650NBB, deux transistors Fet en nitrure de gallium (GaN) 650V respectivement proposés dans un boîtier TO-247 et CCPAK. Bénéficiant de la technologie GaN HEMT H2 du néerlandais, ces composants sont plus compacts de 24% grâce à l'utilisation de liaisons traversantes (through-epi vias). Leur résistance à l'état passant a, elle, été ramenée à 35mohms typique à 25°C en TO-247 et 33mohms en CCPAK. Ces deux circuits sont conformes à la norme AEC-Q101 et conviennent à de nombreuses applications automobiles, télécoms et réseaux pour des puissances comprises entre 1,5 et 5kW (chargeurs, redresseurs, convertisseurs DC/DC, alimentations). 

 

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