Electroniques.biz

Intégration en hausse pour les transistors GaN

Rédigé par  lundi, 09 novembre 2020 08:32
Intégration en hausse pour les transistors GaN

Les prochains transistors Fet 600/650 V en nitrure de gallium de Texas Instruments comprennent également la commande de grille, la gestion d'alimentation et la protection.

Texas Instruments lance sous la référence LMG3522/25 des transistors Fet en nitrure de gallium 600/650V intégrant les pilotes de grille 2,2MHz, la gestion d'alimentation et la protection - une première dans l'industrie selon l'américain. Actuellement en préproduction, les modèles 600V pour systèmes industriels seront disponibles en volume dans un boîtier QFN de 12x12mm au premier trimestre 2021, date à laquelle sera initiée la préproduction des versions 650V qualifiées pour les applications automobiles. Selon TI, la densité de puissance de ces composants (rendement maximal de 99%) et leur haut niveau d'intégration peut permettre de réduire de moitié la taille des chargeurs embarqués dans les véhicules électriques. 

 

 

 

 

 

14 avril 2021
13 avril 2021
12 avril 2021
11 avril 2021
9 avril 2021

Embarqué
Adm21, nouveau SBC 3,.5” basé sur Intel Atom x7-E3950 Vecow , distribué par ADM21, vient de lancer le nouveau SBC ( single Board Computer ), EMBC-2000 [...]
Pour communiquer sur vos produits,
n.heurlin@electroniques.biz - 02.98.27.79.99
Pour toute question, merci de nous contacter
04/05/2021 - 06/05/2021
SMTconnect
04/05/2021 - 06/05/2021
PCIM Europe
01/06/2021 - 03/06/2021
JEC World 2021
28/06/2021 - 01/07/2021
MWC Barcelona