La nouvelle génération de transistors Fet 650V en nitrure de gallium du Néerlandais cible entre autres les alimentations industrielles, télécoms et réseaux répondant aux spécifications de rendement 80 Plus Titanium. 

Nexperia annonce la disponibilité en volume de sa seconde génération de transistors Fet 650V en nitrure de gallium (GaN), qui trouveront notamment leur place dans les alimentations AC-DC et DC-DC industrielles, télécoms et réseaux entre 2kW et 10kW répondant aux spécifications 80 Plus Titanium (rendement supérieur à 91% à pleine charge et 96% à demie-charge), ainsi que dans les redresseurs photovoltaïques et la commande de moteur. Les GAN041-650WSB présentent une résistance à l’état passant de seulement 35mOhms et bénéficient d’un boîtier TO-247 36% plus compact que celui des modèles précédents à résistance égale. Leur configuration cascode simplifie en outre l’étage de commande.