Nexperia optimise des doubles transistors Fet pour les besoins des groupes motopropulseurs automobiles.

Le néerlandais lance des diodes de protection contre les décharges électrostatiques optimisées pour les interfaces CAN-FD dans l'automobile.

Le néerlandais porte à 10 GHz la bande passante de ses circuits de filtrage de mode commun et de protection contre les décharges électrostatiques. 

Les quatre nouveaux circuits de protection contre les décharges électrostatiques du néerlandais conviennent aux appareils numériques équipant l'habitacle automobile.

Le néerlandais réduit l'encombrement et la résistance de ses transistors Fet en nitrure de gallium. 

Ces transistors Mosfet miniatures à canal N ou P disposent d'une faible résistance à l'état passant et visent les appareils nomades. 

Racheté par le fabricant chinois de smartphones Wingtech, le néerlandais Nexperia, ex-filiale Circuits standards et discrets de Philips, est désormais dirigée par Xuezheng Zhang.

Le dernier Mosfet 25 V de la société offre une résistance à l’état passant de seulement 0,57 mOhm. Soit la valeur la valeur la plus basse obtenue par la société pour ses Mosfet NextPowerS3.

La société a dévoilé le GAN063-650WSA, son premier transistor Fet de 650V à base de nitrure de gallium pour les marchés automobile et industriel, ainsi que pour les infrastructures télécoms.

Au nombre de huit, les transistors de la série MJD sont des modèles de 3A ou 8A en boîtier DPAK, tous qualifiés AEC-Q101.