Une technologie de transistor silicium innovante pour la puissance RF?

Le 06/05/2008 à 12:23 par Youssef Belgnaoui
La société de développement HVVi Semiconductor a développé une structure de transistors baptisée High Frequency High Voltage Vertical Field Effect Transistor sur silicium, qui permettrait, selon ell… La société de développement HVVi Semiconductor a développé une structure de transistors baptisée High Frequency High Voltage Vertical Field Effect Transistor sur silicium, qui permettrait, selon elle, de…
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