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Un système de gravure des photo-masques pour le multi-séquençage à 10 nm et en-deçà

Rédigé par  jeudi, 23 avril 2015 08:44
Système Applied Centura Tetra Z Photomask Etch Système Applied Centura Tetra Z Photomask Etch Applied Materials

Le système mis au point par Applied Materials permettra d’étendre l’utilisation de la photolithographie 193 nm à immersion aux noeuds technologiques 10 et 7 nm.

Applied Materials annonce un outil de gravure destiné à la prochaine génération de photo-masques, qui seront utilisés dans le cadre de l’extension aux noeuds 10 nm et 7 nm, de la lithographie 193 nm par immersion à multiple patterning (multi-séquençage).

Baptisé Applied Centura Tetra Z Photomask Etch, cet outil résulte d’une kyrielle d’optimisations dans les procédés et matériaux utilisés pour sa fabrication.
En particulier, des améliorations ont été apportées à la conception de la chambre, à la stabilité du plasma, au contrôle de la pression et à la gestion en temps réel des process.
 

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