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Rf/Hyper mercredi, 20 juin 2018 09:40

Perte d'insertion en baisse pour le commutateur RF en SOI

Les ADRF5024 et ADRF5025 en silicium sur isolant d'Analog Devices sont des modèles SPDT à faibles pertes, fonctionnant jusqu'à 44GHz.

Rf/Hyper jeudi, 17 mai 2018 10:34

Analog Devices simplifie la conception des radars à commande de phase

L'ADAR1000 et ses quatre voies démission-réception remplace la douzaine de composants discrets normalement requis pour réaliser les fonctions de contrôle numérique et de réglage du gain et de la phase des antennes à balayage électronique.

Rf/Hyper mercredi, 25 avril 2018 10:00

Un module de puissance de 200W pour la bande ISM des 433MHz

Notamment destiné aux applications d'énergie RF, l'amplificateur de puissance à LDMOS BPC10M6X2S200 d'Ampleon est proposé dans un format compact (125x33mm).

Rf/Hyper lundi, 23 avril 2018 10:13

Des antennes miniatures 3G-4G signées Antenova

Couvrant des bandes de fréquence différentes, Integra et Inversa du britannique prennent la forme d'antennes chip de grande compacité, occupant une faible surface de circuit imprimé.

Rf/Hyper vendredi, 13 avril 2018 09:15

L'énergie RF a son circuit générateur de signal dans les bandes ISM

Le BLP25RFE001 d'Ampleon cible notamment les applications de chauffage et d'éclairage exploitant le principe de l'énergie RF.

Rf/Hyper mardi, 03 avril 2018 10:36

1800W à 1GHz pour un transistor en GaN sur SiC

Oeuvre de Qorvo, le transistor RF de puissance QPD1025 est également caractérisé par un rendement supérieur aux LDMOS en silicium.

Rf/Hyper lundi, 12 mars 2018 10:02

Le démodulateur I/Q offre une bande passante de 9GHz

Le LTC5594 d'Analog Devices convient notamment aux plates-formes destinées aux infrastructures 5G, qui demandent une largeur de bande de 1GHz ou plus, ainsi qu'une dynamique suffisante pour supporter des schémas de modulation complexes.

Rf/Hyper vendredi, 02 mars 2018 10:12

Skyworks dévoile une plate-forme frontale LTE pour smartphones

Destinée aux fabricants de smartphones, la plate-forme SkyOne LiTE de l’américain est composée de différentes briques modulaires, qui permettront de réduire les temps de développement et l’empreinte sur la carte.

Rf/Hyper mercredi, 14 février 2018 09:42

Un transistor de puissance en GaN sur SiC pour la bande C

Oeuvre du californien Integra Technologies, le transistor Hemt IGT5259L50 délivre 50W crête entre 5,2 et 5,9 GHz.

Rf/Hyper lundi, 12 février 2018 12:21

Ampleon dédie un LDMOS de 600W aux applications d'énergie RF

Conçu pour les systèmes de chauffage industriel, le BLF0910H9LS600 est proposé dans un boîtier céramique compact de type SOT502.

Rf/Hyper mardi, 30 janvier 2018 09:19

CML Microcircuits lance un nouveau bloc d'émission-réception RF

Dans un boîtier de 6x6mm, le convertisseur de fréquence CMX975 associe notamment des mélangeurs, des synthétiseurs à PLL et leurs VCO et un amplificateur faible bruit

Rf/Hyper vendredi, 19 janvier 2018 10:01

Le mélangeur RF combine basse consommation et large bande passante

Le mélangeur actif LTC5562 d'Analog Devices offre une bande passante de 7GHz et un point d'interception du troisième ordre (OIP3) situé à +20dBm.

Rf/Hyper jeudi, 11 janvier 2018 11:02

Semtech échantillonne des circuits LoRa de nouvelle génération

MicrosoftInternetExplorer402DocumentNotSpecified7.8 磅Normal0 Vis-à-vis de leurs aînés, les circuits d'émission-réception LoRa annoncés par l'américain étendent la portée des liaisons sans fil, alors que leur consommation en réception est de moitié inférieure.

Rf/Hyper vendredi, 24 novembre 2017 12:18

Modems radio 5G : Intel dévoile sa feuille de route

L'américain va lancer mi-2019 le XMM 8060, le premier membre d'une série de modems radio 5G aptes à fonctionner dans les bandes millimétriques et celles situées sous les 6 GHz.

Rf/Hyper mercredi, 18 octobre 2017 10:26

Avec son amplificateur en GaN, Mitsubishi cible les communications satellitaires dans la bande Ka

Le MMIC MGFG5H3001 en technologie HEMT GaN du japonais fournit une puissance de 8W entre 27,5 et 31GHz.

Rf/Hyper mardi, 22 août 2017 09:07

L'amplificateur distribué se fait très large bande

Oeuvre de Custom MMIC, le CMD241P4 est un amplificateur faible bruit en boîtier QFN fonctionnant dans la bande 2 à 22 GHz.

Rf/Hyper lundi, 21 août 2017 10:17

Le mélangeur affiche une bande passante RF de 3 à 20 GHz

Caractérisé par une large bande passante et une excellente linéarité, le double mélangeur LTC5552 de Linear Technology/Analog Devices intègre un étage tampon et un transformateur balun.

Rf/Hyper jeudi, 22 juin 2017 07:20

L'antenne à 2,4GHz se joue des surfaces métalliques

Zenon inaugure la nouvelle famille d'antennes Reflector du britannique Antenova. Une structure originale à deux couches électriquement isolées éviterait le désaccord de l'antenne, lorsque cette dernière est placée sur une surface métallique

Rf/Hyper vendredi, 16 juin 2017 09:39

L'amplificateur de puissance en GaN conjugue une large bande, un fort gain et un excellent rendement

Couvrant la bande 0,3 à 6GHz, le MMIC HMC8205BF10 d'Analog Devices délivre 35W avec un rendement de 38% et un gain de 20dB.

Rf/Hyper jeudi, 15 juin 2017 08:16

Guerrilla RF étoffe son catalogue d'amplificateurs faible bruit

La société a procédé à l'échantillonnage des GRF4142 et GRF4014, deux LNA large bande en petit boîtier de 1,5x1,5mm.

Rf/Hyper mercredi, 14 juin 2017 11:28

Le Leti fait la démonstration d'un transceiver UNB sub-GHz en Cmos 65nm

Le circuit d'émission-réception monopuce développé par l'institut de recherche grenoblois autorise des communications dans une bande passante de seulement 100Hz.

Rf/Hyper mardi, 13 juin 2017 09:00

Nordic Semiconductor échantillonne un SoC Bluetooth 5 économique

Destiné aux marchés de volume, le nRF52810 du norvégien offre des performances radio similaires au nRF52832, mais s'en différencie selon la capacité mémoire et les blocs périphériques embarqués.