La solution Global 1 de l’américain exploite notamment un amplificateur de puissance multibande/multimode en Cmos, dont le rendement est annoncé comme sensiblement équivalent à celui obtenu avec des PA en GaAs.

Peregrine Semiconductor annonce un frontal RF reconfigurable à destination des plates-formes mobiles 4G. Estampillé Global 1, ce circuit entend répondre aux exigences des développeurs et fabricants de mobiles confrontés à la multiplicité des bandes de fréquence (plus d’une quarantaine !) allouées aux applications LTE. Global 1 intègre ainsi un amplificateur de puissance (PA) multimode/multibande, un commutateur post-PA, un commutateur d’antenne et le réseau d’accord de celle-ci.

Tous les éléments embarqués dans Global 1 tirent profit de la technologie UltraCmos de l’américain. En particulier, l’amplificateur de puissance LTE est réalisé en Cmos, et non en GaAs comme traditionnellement, avec un niveau de performances en termes de rendement annoncé comme équivalent. Et ce sans faire appel à une technique de prédistorsion numérique ou de suivi de l’enveloppe du signal RF, bien que celle-ci soit supportée par Global 1. Par rapport aux amplificateurs de puissance en Cmos actuels, le rendement serait amélioré de 10 %. Ajoutons que le circuit dispose d’une interface conforme MIPI.

La solution Global 1 de Peregrine sera exposée lors du prochain Mobile World Congress, qui se tiendra à Barcelone du 24 au 27 février 2014.