Fonctionnant jusqu’à 3,5GHz, le dernier transistor Hemt de Macom est typiquement conçu pour les radars civils ou militaires en bande S.

Pour les radars militaires ou civils fonctionnant en mode pulsé, Macom introduit un transistor Hemt en GaN sur substrat en carbure de silicium (SiC). Référencé MAGX-000035-045000, le nouveau venu est un modèle non adapté, délivrant une puissance crête de 55W (impulsions de durée 1ms, avec un rapport cyclique de 10%) sous 50V, avec un gain de 11dB et un rendement de 55% jusqu’à 3,5GHz.

Ce transistor à métallisation or avec embase affiche des dimensions de 20,3×5,8 mm. Robuste, il supporte un taux de désadaptation de 10:1 et est crédité d’un MTTF (Mean Time to Failure) de 600 ans. Des échantillons sont disponibles sur stock.