Parmi les produits Airfast de seconde génération de l’américain figurent des LDMOS 28V, permettant d’obtenir un rendement supérieur à 50% dans une configuration Doherty.

A l’occasion de la manifestation IMS2014 (International Microwave Symposium), qui s’est tenue à Tampa Bay (Floride), Freescale Semiconductor a dévoilé la seconde génération de produits RF de la gamme Airfast. Au nombre de cinq, ceux-ci prennent la forme de transistors (A2T07H310-24S, A2T07D160W04S et A2T26H160-24S) ou de circuits intégrés (A2I25D012N et A2I22D050N), actuellement échantillonnés.

En particulier, la société a annoncé des transistors LDMOS 28V, pour stations de base cellulaires, affichant un rendement de 50 % et plus dans une configuration Doherty.

Ainsi, l’A2T07H310-24S pour amplificateurs Doherty asymétriques, couvre la bande 720 à 960MHz. Il est susceptible de délivrer une puissance crête de 310W (55dBm), alors que son gain est typiquement de 18,9dB et son rendement supérieur à 50%. Une barre des 50% également franchie par l’A2T07D160W04S, un modèle de 160W à deux voies, dont le gain est de 21,5dB, a destination des stations de base cellulaires dans la bande 728 à 960MHz.