Perte d’insertion en baisse pour le commutateur RF en SOI

Le 07/12/2015 à 10:05 par Philippe Dumoulin

C’est ce que promet Toshiba avec son process TaRF8, optimisé pour la réalisation de commutateurs RF. Le premier bénéficiaire en sera un modèle SP12T destiné aux smartphones.

Toshiba Electronics Europe annonce le développement de TaRF8, un process SOI-CMOS propriétaire (TarfSOI, Toshiba Advanced RF SOI) de nouvelle génération, optimisé pour la réalisation de commutateurs RF à très faible perte d’insertion. La société indique une perte d’insertion de 0,32dB à 2,7GHz, soit un gain de 0,1dB par rapport aux commutateurs réalisés selon son process TaRF6 actuel. Et ce en conservant les mêmes performances en termes de distorsion.

Le premier circuit en bénéficiant sera un commutateur unipolaire à douze voies (SP12T), intégrant un contrôleur MIPI-RFFE, destiné aux smartphones 3GPP, GSM, UMTS, W-CDMA, LTE et LTE-A. Des échantillons seront livrés dès janvier 2016.

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