Toshiba élargit son offre de diodes Schottky en SiC

Le 04/11/2013 à 12:53 par Philippe Dumoulin

La société introduit trois modèles de 650 V, correspondant à des calibres en courant de 6 A, 8 A et 10 A.

Après le modèle de 12 A entré en production en début d’année, Toshiba Electronics Europe introduit trois autres diodes Schottky de 650 V en carbure de silicium. Ces composants en boîtiers TO-220 (d’autres formats seront ultérieurement proposés) offrent des calibres en courant de 6 A, 8 A et 10 A. Leur courant de recouvrement inverse est quant à lui de 90 µA.

Avec cette gamme, Toshiba anticipe une forte croissance du marché des composants de puissance en carbure de silicium, et des diodes en particulier, pour remplacer les composants traditionnels en silicium.

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